FDS8958A和IRF7319TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS8958A IRF7319TR IRF7319TRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8958A  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 VSOIC N+P 30V 6.5A/4.9AINFINEON  IRF7319TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电流 7.00 A 6.50 A -

额定功率 1.6 W - 2 W

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.019 Ω - 0.023 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N+P N+P

耗散功率 2 W - 2 W

阈值电压 1.9 V - 1 V

输入电容 528 pF - -

栅电荷 9.60 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30.0 V 30 V

漏源击穿电压 ±30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 4.90 A 6.5A/4.9A

上升时间 13.0 ns 13.0 ns -

输入电容(Ciss) 575pF @15V(Vds) - 650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW - 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW - 2 W

产品系列 - IRF7319 -

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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