对比图
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.075A I(C), 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.28INCH, PM-4Trans RF BJT NPN 18V 0.2A 4Pin Macro-X射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
数据手册 ---
制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 4 4
封装 - Macro-X Macro-X
耗散功率 - 1250 mW 2000 mW
输出功率 - - 0.5 W
击穿电压(集电极-发射极) - 15 V 16 V
增益 - 13dB ~ 15.5dB 9.5 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 90 @50mA, 5V 30 @50mA, 10V
额定功率(Max) - 1.25 W 2 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 1250 mW 2000 mW
高度 - 2.54 mm 2.54 mm
封装 - Macro-X Macro-X
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Bulk Bulk
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - 150℃ (TJ) -