BC32725BU和BC32725TA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC32725BU BC32725TA BC327-025G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC32725BU  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 100 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC32725TA  双极性晶体管, PNP, 50V, 800mA, TO-92NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

频率 100 MHz 100 MHz 260 MHz

额定电压(DC) -45.0 V -50.0 V -45.0 V

额定电流 -800 mA -800 mA -800 mA

针脚数 3 3 -

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 625 mW 625 mW 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A -

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 630 630 -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 100 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 1500 mW

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

长度 - 5.2 mm 5.2 mm

宽度 - 4.19 mm 4.19 mm

材质 Silicon - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Each Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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