IS42RM16200C-75BLI和IS42RM16200D-75BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42RM16200C-75BLI IS42RM16200D-75BLI IS42SM16200C-75BLI

描述 动态随机存取存储器 32M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器, 2Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT32m, 2.5V, Mobile Sdram, 2mx16, 133MHz, 54 Ball Bga (8mmx8mm) Rohs, ItIC SDRAM 32Mbit 133MHz 54BGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 54 -

存取时间 6 ns 6 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.3V ~ 2.7V 3V ~ 3.6V

位数 - 16 -

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54

高度 - 0.8 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

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