CY7C1041DV33-10BVJXI和CY7C1041DV33-10BVJXIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1041DV33-10BVJXI CY7C1041DV33-10BVJXIT IS62WV25616BLL-55BLI

描述 4兆位( 256千× 16 )静态RAM 4-Mbit (256 K × 16) Static RAMSRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48Pin VFBGA T/R静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 BGA-48

位数 16 16 16

存取时间(Max) 10 ns 10 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

存取时间 10 ns - 55 ns

内存容量 - - 4000000 B

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 3 V - 2.5 V

供电电流 90 mA - -

高度 0.81 mm 0.81 mm -

封装 VFBGA-48 VFBGA-48 BGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

ECCN代码 - - EAR99

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