UN2227和UNR2221

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UN2227 UNR2221 MMBT2907ALT1

描述 NPN硅外延平面型 Silicon NPN epitaxial planar typeNPN硅外延平面型 Silicon NPN epitaxial planar typeTransistor,

数据手册 ---

制造商 Panasonic (松下) Panasonic (松下) SynSemi

分类

基础参数对比

封装 Mini3-G1 Mini3-G1 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 50 V -

集电极最大允许电流 600mA 500mA -

封装 Mini3-G1 Mini3-G1 -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

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