GS8662Q18BD-200I和GS8662Q18BGD-200I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS8662Q18BD-200I GS8662Q18BGD-200I CY7C1512KV18-200BZI

描述 QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13MM, 1MM PITCH, FPBGA-165QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-16572 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 GSI GSI Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 LBGA LBGA LBGA

封装 LBGA LBGA LBGA

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tray - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

工作温度 -40℃ ~ 100℃ - -

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