对比图
型号 IXTA180N10T IXTQ180N10T BUK764R3-40B,118
描述 N沟道 100V 180ATrans MOSFET N-CH 100V 180A 3Pin(3+Tab) TO-3PD2PAK N-CH 40V 176A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-3-3 TO-263-3
通道数 1 - -
漏源极电阻 6.4 mΩ - -
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 480 W 480W (Tc) 254 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 40 V
漏源击穿电压 100 V - -
连续漏极电流(Ids) 180A - 176A
上升时间 54 ns - -
输入电容(Ciss) 6900pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds) 4824pF @25V(Vds)
下降时间 31 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) 55 ℃ - -
耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 254W (Tc)
额定功率(Max) - - 254 W
长度 9.9 mm - -
宽度 9.2 mm - -
高度 4.5 mm - -
封装 TO-263-3 TO-3-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free