BF370和MPS3646G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF370 MPS3646G MPS3646

描述 NPN中频晶体管 NPN medium frequency transistorTO-92 NPN 15V 0.3A开关Trasnistor ( NPN硅) Switching Trasnistor(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 SOT-54-3 TO-92-3 TO-226-3

额定电压(DC) 15.0 V 15.0 V 15.0 V

额定电流 100 mA 300 mA 300 mA

极性 - N-Channel NPN

耗散功率 500 mW 1.5 W 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V 15 V

集电极最大允许电流 - 0.3A 0.3A

额定功率(Max) - 625 mW 625 mW

最小电流放大倍数(hFE) 40 30 -

最大电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 1V - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 625 mW -

增益频宽积 - 350 MHz -

封装 SOT-54-3 TO-92-3 TO-226-3

长度 4.8 mm 5.2 mm -

宽度 4.2 mm 4.19 mm -

高度 5.2 mm 5.33 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

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