CY62128EV30LL-45ZXIT和IS62WV1288BLL-55TLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62128EV30LL-45ZXIT IS62WV1288BLL-55TLI CY62128EV30LL-45ZXI

描述 CY62128EV30 系列 1 Mb (128 K x 8) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态RAM - TSOP-32RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)CYPRESS SEMICONDUCTOR  CY62128EV30LL-45ZXI  存储芯片, SRAM, 1M, 并行口, 45NS, TSOP-32

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 TSOP-32 TSOP-32 TSOP-32

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 16 mA - 16 mA

针脚数 32 - 32

时钟频率 45.0 GHz - 45.0 GHz

位数 8 8 8

存取时间 45 ns 55 ns 45 ns

内存容量 1000000 B 1000000 B 125000 B

存取时间(Max) 45 ns 55 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V

工作电压 - 3.3 V -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2.5 V -

封装 TSOP-32 TSOP-32 TSOP-32

长度 - 18.5 mm -

宽度 - 8.1 mm -

高度 - 0.95 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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