CXK58257AP-10LL和TC55257BPL-10L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CXK58257AP-10LL TC55257BPL-10L IDT71256L100DB

描述 SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 100ns 28Pin PDIPSRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 100ns 28Pin PDIPCMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)

数据手册 ---

制造商 SONY (索尼) Toshiba (东芝) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片

基础参数对比

引脚数 - 28 -

封装 DIP DIP DIP

长度 - 37 mm -

宽度 - 15.24 mm -

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

ECCN代码 - - 3A001

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