BD435和BD435G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD435 BD435G

描述 塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

频率 - 3 MHz

额定电压(DC) 32.0 V 32.0 V

额定电流 4.00 A 4.00 A

极性 NPN NPN

耗散功率 - 36 W

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V

集电极最大允许电流 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 85 @500mA, 1V 85 @500mA, 1V

额定功率(Max) 36 W 36 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 36 W 36000 mW

最大电流放大倍数(hFE) 475 -

宽度 - 2.66 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk

最小包装 500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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