MAP6KE47A和MAP6KE47ATRE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MAP6KE47A MAP6KE47ATRE3 MAP6KE47AE3

描述 40.2V 600WTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 40.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN40.2V 600W

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 T-18 - T-18

最大反向电压(Vrrm) 40.2V - 40.2V

脉冲峰值功率 600 W - 600 W

最小反向击穿电压 44.7 V - 44.7 V

封装 T-18 - T-18

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

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