IRFR120NTRL和IRFR120PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR120NTRL IRFR120PBF IRFR120N

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3Pin (2+Tab) DPAK T/RN 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorMOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.21Ω; ID 9.4A; D-Pak (TO-252AA); PD 48W

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管N沟道MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 270 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5 W 39.0 W

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 9.40 A 7.70 A 9.40 A

上升时间 23.0 ns 27 ns 23.0 ns

输入电容(Ciss) - 360pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 - 17 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 9.40 A - 9.10 A

产品系列 IRFR120N - IRFR120N

漏源击穿电压 - - 100V (min)

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tape Tube Tube

最小包装 - 2000 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司