MR0A08BMA35R和MR0A08BYS35

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MR0A08BMA35R MR0A08BYS35 MR0A08BMA35

描述 Memory Circuit, 128KX8, PBGA48, 8 X 8MM, 0.75MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-48MR0A08 系列 128 K x 8 位 3.3 V 35 ns 异步 MRAM 存储器 - TSOP II-44MR0A08 系列 128 K x 8 位 3.3 V 35 ns 异步 MRAM 存储器 - BGA-48

数据手册 ---

制造商 Everspin Technologies Everspin Technologies Everspin Technologies

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 48 44 48

封装 BGA-48 TSOP-44 LFBGA-48

存取时间 35 ns 35 ns -

存取时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

供电电流 - 65 mA -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 3 V -

封装 BGA-48 TSOP-44 LFBGA-48

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

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