对比图
型号 HAT2171H-EL-E PSMN4R0-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115
描述 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power SwitchingSingle N-Channel 40V 4.2mOhm 38NC 106W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-4LFPAK N-CH 40V 100A
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 4 4
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669
漏源极电阻 - 0.0032 Ω 0.002 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 25 W 106 W 131 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 40.0 A 100 A 100 A
上升时间 30 ns 19 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 3750pF @10V(Vds) 2410pF @20V(Vds) 3776pF @12V(Vds)
额定功率(Max) - 106 W 131 W
下降时间 5.5 ns 12 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 25W (Tc) 106W (Tc) 131W (Tc)
额定电压(DC) 40.0 V - -
额定电流 40.0 A - -
输入电容 3.75 nF - -
栅电荷 52.0 nC - -
通道数 - - 1
封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17