对比图
型号 STD70N02L STD70NH02LT4 STD70N2LH5
描述 N沟道24V - 0.0068ohm - 60A - DPAK - IPAK的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 24V - 0.0068ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFETN沟道24V - 0.0062欧姆 - 60A IPAK / DPAK的STripFET II功率MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.0062 Ohm - 60A IPAK/DPAK STripFET II Power MOSFETN沟道25 V ， 0.006 Ω ， 48 A - DPAK - IPAK的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 25 V, 0.006 Ω, 48 A - DPAK - IPAK STripFET™ V Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) 24.0 V 24.0 V -
额定电流 60.0 A 60.0 A -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 60W (Tc) 70 W 60 W
漏源极电压(Vds) 25 V 24 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 60.0 A 60.0 A -
输入电容(Ciss) 1400pF @16V(Vds) 2050pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 60 W 70 W 60 W
耗散功率(Max) 60W (Tc) 70W (Tc) 60W (Tc)
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 8 mΩ -
漏源击穿电压 - 24 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
上升时间 - 200 ns -
下降时间 - 25 ns -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 6.2 mm -
高度 - 2.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
ECCN代码 - - EAR99