AT-31011-BLKG和AT-31011-TR1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AT-31011-BLKG AT-31011-TR1 AT-31011-BLK

描述 Trans RF BJT NPN 5.5V 0.016A 4Pin(3+Tab) SOT-143 BulkLow Current, High Performance NPN Silicon Bipolar TransistorLow Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 AVAGO Technologies (安华高科) HP (惠普) HP (惠普)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 4 - -

封装 TO-253-4 - -

额定电压(DC) 5.50 V - -

额定电流 16.0 mA - -

极性 NPN - -

耗散功率 150 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 5.5 V - -

增益 11dB ~ 13dB - -

最小电流放大倍数(hFE) 70 @1mA, 2.7V - -

额定功率(Max) 150 mW - -

直流电流增益(hFE) 70 - -

封装 TO-253-4 - -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -

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