IS42S16160J-7BLI和IS42S16160J-7BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16160J-7BLI IS42S16160J-7BLI-TR

描述 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54

封装 TFBGA-54 BGA-54

供电电流 140 mA -

时钟频率 143 MHz -

位数 16 16

存取时间 5.4 ns 5.4 ns

存取时间(Max) 7 ns 7 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

封装 TFBGA-54 BGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99

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