对比图
型号 FQP5N40 FQP6N80C FQP33N10
描述 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP6N80C, 5.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 1.60 Ω 2.1 Ω 0.052 Ω
耗散功率 70W (Tc) 158 W 127 W
阈值电压 - 5 V 4 V
漏源极电压(Vds) 400 V 800 V 100 V
上升时间 - 65 ns 195 ns
输入电容(Ciss) 460pF @25V(Vds) 1010pF @25V(Vds) 1150pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 158 W 127 W
下降时间 - 44 ns 110 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 158000 mW 127 W
额定电压(DC) 400 V - -
额定电流 4.50 A - -
极性 N-Channel - -
漏源击穿电压 400 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 4.50 A - -
长度 - 10.1 mm 10.67 mm
宽度 - 4.7 mm 4.83 mm
高度 - 9.4 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃
ECCN代码 EAR99 - -