对比图
型号 IXTH2R4N120P IXTP2R4N120P IXTA2R4N120P
描述 TO-247 N-CH 1200V 2.4ATO-220 N-CH 1200V 2.4AN沟道 1.2kV 2.4A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 125W (Tc) 125 W 125 W
漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V 1200 V
连续漏极电流(Ids) 2.4A 2.4A 2.4A
上升时间 25 ns 25 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 1207pF @25V(Vds) 1207pF @25V(Vds) 1207pF @25V(Vds)
下降时间 32 ns 32 ns 32 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 7.5 Ω
漏源击穿电压 - - 1200 V
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3
长度 - - 10.41 mm
宽度 - - 9.65 mm
高度 - - 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free