ICTE18C-E3/73和1N6386-E3/73

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE18C-E3/73 1N6386-E3/73 1N6386-E3/54

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW,18V 10%,BIDIR,AXIAL TVS1.5kW,18V 10%,BIDIR,AXIAL TVSDiode TVS Single Bi-Dir 18V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 21.2 V 21.2 V 21.2 V

钳位电压 - - 25.5 V

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Box (TB) Tape & Box (TB) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

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