1N1184和JAN1N1184

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N1184 JAN1N1184 1N1184A

描述 整流器 100V 35A Std. Recovery军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier电源硅整流二极管, 35 A / 40 A / 60 A Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A

数据手册 ---

制造商 GeneSiC Semiconductor Microsemi (美高森美) Vishay Semiconductor (威世)

分类 功率二极管功率二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Chassis - Chassis

封装 DO-203AB DO-203AB-2 DO-203AB

引脚数 - - 2

正向电压 1.2V @35A 1.4V @110A 1.3 V

正向电流 35 A - 40 A

正向电压(Max) 1.2 V - -

热阻 - - 1.1℃/W (RθJC)

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

工作结温(Max) - - 200 ℃

封装 DO-203AB DO-203AB-2 DO-203AB

高度 - - 36.9 mm

工作温度 140 ℃ - -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

军工级 - Yes -

ECCN代码 EAR99 - -

HTS代码 8541100080 - -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司