AT45DB041E-SSHN-B和SST25VF040B-80-4I-S2AE

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AT45DB041E-SSHN-B SST25VF040B-80-4I-S2AE AT45DB041D-SSU

描述 Adesto### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。MICROCHIP  SST25VF040B-80-4I-S2AE.  闪存, 4 Mbit, 80 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚ADESTO TECHNOLOGIES  AT45DB041D-SSU  闪存, 4 Mbit, 2048 页 x 256字节, 50 MHz, 串行, SPI, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 Adesto Technologies Microchip (微芯) Adesto Technologies

分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 1.65V (min) 2.70V (min) 2.70V (min)

工作电压 1.65V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

针脚数 8 8 8

时钟频率 85 MHz 80 MHz 50 MHz

存取时间 7 ns 80 ns -

内存容量 500000 B 500000 B 500000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 1.65 V 2.7 V 2.7 V

频率 85 MHz - 66.0 MHz

供电电流 15 mA - -

位数 8 - -

存取时间(Max) 7 ns - -

长度 5.05 mm 5.4 mm -

高度 1.5 mm 1.91 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 3.99 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

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