对比图
型号 BUZ10 IRFZ24N IRFZ24NPBF
描述 N - CHANNEL 50V - 0.06W - 23A TO- 220的STripFET ] MOSFET N - CHANNEL 50V - 0.06W - 23A TO-220 STripFET] MOSFETN沟道 55V 17AN 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
额定电压(DC) 50.0 V 55.0 V -
额定电流 23.0 A 17.0 A -
漏源极电阻 60.0 mΩ 70.0 mΩ 0.07 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 75 W 45.0 W 45 W
产品系列 - IRFZ24N -
漏源极电压(Vds) 50 V 55.0 V 55 V
漏源击穿电压 50.0 V 55.0 V 55 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 23.0 A 17.0 A 17A
上升时间 45 ns 34 ns 34 ns
输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds)
下降时间 10 ns 27 ns 27 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 75W (Tc) 45000 mW 45W (Tc)
额定功率 - - 45 W
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 4 V
输入电容 900 pF - 370 pF
额定功率(Max) 75 W - 45 W
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
长度 10.4 mm - 10 mm
宽度 4.6 mm - 4.4 mm
高度 9.15 mm - 8.77 mm
材质 - Silicon Silicon
工作温度 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17