对比图
型号 IRLZ24NS IRLZ24NSPBF
描述 D2PAK N-CH 55V 18AN 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 - 45 W
通道数 - 1
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 3.8W (Ta), 45W (Tc) 3.8 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18A
输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.8 W
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 45W (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc)
额定电压(DC) 55.0 V -
额定电流 18.0 A -
产品系列 IRLZ24NS -
漏源击穿电压 55.0V (min) -
上升时间 74.0 ns -
长度 - 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm
高度 - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free