NTD25P03L1和NTD25P03L1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTD25P03L1 NTD25P03L1G NTD25P03LT4G

描述 功率MOSFET -25安培,伏特-30 Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt-25A,-30V功率MOSFETON SEMICONDUCTOR  NTD25P03LT4G  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 25A, D-PAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-252-3

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -25.0 A -25.0 A -25.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 51.0 mΩ 51 mΩ 0.056 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 75 W 75 W 75 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 25.0 A 25.0 A

上升时间 37.0 ns 37 ns 37 ns

输入电容(Ciss) 1260pF @25V(Vds) 1260pF @25V(Vds) 1260pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 75 W 75 W

下降时间 - 16 ns 16 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 75 W 75 W 75 W

额定功率 - 75 W -

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 30 V -

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 2.38 mm 6.22 mm

高度 - 6.35 mm 2.38 mm

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Bulk Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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