IXTP2R4N50P和IXTY2R4N50P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP2R4N50P IXTY2R4N50P

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3Pin(3+Tab) TO-220Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3Pin(2+Tab) TO-252AA

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount

封装 TO-220-3 TO-252-3

额定电压(DC) 500 V 500 V

额定电流 2.00 A 2.00 A

通道数 1 -

漏源极电阻 3.75 Ω -

耗散功率 55 W 55W (Tc)

输入电容 240 pF 240 pF

栅电荷 6.10 nC 6.10 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V -

连续漏极电流(Ids) 2.40 A 2.40 A

上升时间 29 ns -

输入电容(Ciss) 240pF @25V(Vds) 240pF @25V(Vds)

下降时间 28 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

耗散功率(Max) 55W (Tc) 55W (Tc)

长度 10.66 mm -

宽度 4.83 mm -

高度 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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