IRF3205ZS和IRF3205ZSTRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3205ZS IRF3205ZSTRLPBF AUIRF3205ZSTRL

描述 D2PAK N-CH 55V 110A晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0049 ohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 0.0049 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.0049 Ω 0.0049 Ω

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 170W (Tc) 170 W 170 W

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 110A 110A 110A

上升时间 - 95 ns 95 ns

输入电容(Ciss) 3450pF @25V(Vds) 3450pF @25V(Vds) 3450pF @25V(Vds)

下降时间 - 67 ns 67 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 170W (Tc) 170W (Tc) 170W (Tc)

长度 - 10 mm 10 mm

宽度 - 9.25 mm 9.65 mm

高度 - 4.83 mm 4.4 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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