TLV2620IDBVRG4和TLV2620IDBVT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2620IDBVRG4 TLV2620IDBVT TLV2620IDR

描述 系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 8

封装 SOIC SOT-23-6 SOIC-8

输出电流 - 28mA @5V -

供电电流 - 800 µA 800 µA

电路数 - 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 - 0.425 W 0.71 W

共模抑制比 - 78 dB 78 dB

输入补偿漂移 3.00 µV/K 3.00 µV/K 3.00 µV/K

带宽 11.0 MHz 11.0 MHz 11 MHz

转换速率 9.50 V/μs 6.00 V/μs 6.00 V/μs

增益频宽积 11.0 MHz 11 MHz 11 MHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 - 250 µV 250 µV

输入偏置电流 - 2 pA 2 pA

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 11 MHz 11 MHz

耗散功率(Max) - 425 mW 710 mW

共模抑制比(Min) - 78 dB 78 dB

封装 SOIC SOT-23-6 SOIC-8

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

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