对比图
型号 NSBC114YDXV6T1G PEMH15,115 NSBC114YDXV6T1
描述 双NPN偏置电阻晶体管 Dual NPN Bias Resistor TransistorsSOT-666 NPN 50V 100mA双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 -
封装 SOT-563-6 SOT-666-6 SOT-563-6
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.5 W 300 mW 357 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 30 @10mA, 5V 80 @5mA, 10V
额定功率(Max) 500 mW 300 mW 500 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 300 mW -
额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V
额定电流 100 mA - 100 mA
最大电流放大倍数(hFE) 80 - 80
高度 0.55 mm 0.6 mm 0.55 mm
封装 SOT-563-6 SOT-666-6 SOT-563-6
长度 1.6 mm - 1.6 mm
宽度 1.2 mm - 1.2 mm
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
ECCN代码 EAR99 - -