对比图
型号 SPI10N10L SPP10N10L SPB10N10LG
描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorN沟道 100V 10.3A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3-1 TO-220-3-1 TO-263
额定电压(DC) 100 V 100 V -100 V
额定电流 10.3 A 10.3 A -10.3 A
输入电容 444 pF 444 pF 444 pF
栅电荷 22.0 nC 22.0 nC 22.0 nC
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 10.3 A 10.3 A 10.3 A
输入电容(Ciss) 444pF @25V(Vds) 444pF @25V(Vds) 444pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 50 W
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 50W (Tc) 50W (Tc) -
耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc) -
封装 TO-262-3-1 TO-220-3-1 TO-263
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -