LBC847CWT1G和SBC847CLT1G

对比图

型号 LBC847CWT1G SBC847CLT1G BC847C

描述 三极管(晶体管) LBC847CWT1G SC-70(SOT-323) NPN Vceo=45V Ic=100mA HFE=420-800NPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 0.25W(1/4W) Automotive 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SC-70 SOT-23-3 SOT-23

频率 - 100 MHz 300 MHz

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 0.3 W 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 100mA 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 420 420 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 300 mW -

直流电流增益(hFE) - 420 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 250 mW

最大电流放大倍数(hFE) 800 - -

增益频宽积 - - 100 MHz

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1.01 mm -

封装 SC-70 SOT-23-3 SOT-23

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 EAR99