IXGT32N170和IXGT32N170 TRL

对比图

型号 IXGT32N170 IXGT32N170 TRL IXGT32N170 T&R

描述 Trans IGBT Chip N-CH 1700V 75A 350000mW 3Pin(2+Tab) TO-268IGBT 1700V 75A 350W TO268Igbt 1700V 75A 350W To268

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-268-3

引脚数 3 - -

击穿电压(集电极-发射极) 1700 V 1700 V 1700 V

额定功率(Max) 350 W 350 W 350 W

耗散功率 350 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 350000 mW - -

封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-268-3

长度 16.05 mm - -

宽度 14 mm - -

高度 5.1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -