对比图
型号 BSM50GB120DN2 CM50DY-24H CM50DU-24F
描述 IGBT 模块，Infineon**Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。IGBT MOD DUAL 1200V 50A H SERPOWEREX CM50DU-24F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 50A, 1.2kV, 320W, 1.2kV, Module
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Powerex Powerex
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Screw Chassis Chassis
封装 34MM-1 Module Module
引脚数 7 - 7
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 400 W 400 W 320 W
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V 1200 V
输入电容(Cies) - 10nF @10V 20nF @10V
额定功率(Max) - 400 W 320 W
额定电压(DC) - - 1.20 kV
额定电流 - - 50.0 A
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃
上升时间 100 ns - -
耗散功率(Max) 400 W - -
封装 34MM-1 Module Module
长度 94 mm - -
宽度 34 mm - -
高度 30.5 mm - -
产品生命周期 Not Recommended for New Design Obsolete Active
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
工作温度 -40℃ ~ 150℃ - -