对比图
型号 IXFH20N100P IXFT20N100P
描述 N沟道 1kV 20ATO-268 N-CH 1000V 20A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-2
通道数 1 1
极性 N-CH N-CH
耗散功率 660 W 660 W
阈值电压 6.5 V 6.5 V
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 20A 20A
上升时间 37 ns 37 ns
输入电容(Ciss) 7300pF @25V(Vds) 7300pF @25V(Vds)
下降时间 45 ns 45 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 660W (Tc) 660W (Tc)
宽度 5.3 mm 14 mm
封装 TO-247-3 TO-268-2
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free