对比图
型号 IPB60R125CP SIHB30N60E-GE3
描述 600V,25A,N沟道MOSFETN 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 125 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 208 W 250 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 25.0 A 29A
上升时间 5 ns 32 ns
输入电容(Ciss) 2500pF @100V(Vds) 2600pF @10V(Vds)
下降时间 5 ns 36 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 208W (Tc) 250 W
额定功率(Max) 208 W -
长度 - 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm
高度 - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3
产品生命周期 Not Recommended Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube
最小包装 - 2000
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 EAR99 -