KD324510和MG100G2CL1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KD324510 MG100G2CL1 MG100G2DL1

描述 NPN 600V 100ATransistor Bjt Power ModuleTransistor Bjt Power Module

数据手册 ---

制造商 Powerex Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类

基础参数对比

极性 NPN - -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V - -

集电极最大允许电流 100A - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

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