对比图
型号 IXDI602SIA IXDI602SITR IXDI602SIATR
描述 IXDI 系列 35 V 2 A 2.5 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns 7.5ns, 6.5ns 7.5ns, 6.5ns
输出接口数 2 2 2
上升时间 15 ns 15 ns 7.5 ns
下降时间 15 ns 15 ns 6.5 ns
电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V
输出电流(Max) 2 A - -
下降时间(Max) 15 ns 15 ns -
上升时间(Max) 15 ns 15 ns -
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99