对比图
型号 MIXA30WB1200TED MIXA80WB1200TEH
描述 Igbt Module 1200V 30AIGBT MODULE 1200V 84A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
引脚数 24 24
封装 - E3
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V
额定功率(Max) 150 W 390 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 150000 mW 390000 mW
封装 - E3
工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Box Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free