IRS210614SPBF和IRS210614STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRS210614SPBF IRS210614STRPBF IRS21064SPBF

描述 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)600V High and Low Side Driver IC with typical 0.29A source and 0.6A sink currents in 14 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs.MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,高侧和低侧,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 - 14

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

额定功率 - - 1 W

上升/下降时间 100ns, 35ns 100ns, 35ns 100ns, 35ns

输出接口数 2 - 2

输出电压 - - 600 V

输出电流 - 0.29 A 290.600 mA

通道数 - - 2

耗散功率 1000 mW - 1000 mW

下降时间(Max) 80 ns - 80 ns

上升时间(Max) 220 ns - 220 ns

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW - 1000 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V - -

电源电压(Min) 10 V - -

长度 8.74 mm - 8.74 mm

宽度 3.99 mm - 3.99 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Each - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99

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