对比图
型号 SI7615ADN-T1-GE3 SI7621DN-T1-GE3
描述 SI7615ADN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 35A, 20V, 8Pin PowerPAK 1212MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 1212 1212-8
引脚数 8 -
耗散功率 52 W 3.1W (Ta), 12.5W (Tc)
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
输入电容(Ciss) 5590pF @10V(Vds) 300pF @10V(Vds)
耗散功率(Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc) 3.1W (Ta), 12.5W (Tc)
漏源极电阻 0.0035 Ω -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
封装 1212 1212-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2014/06/16 -