对比图
型号 MMBZ6V8ALT1G SZMMBZ6V8ALT1G MMBZ6V8AL-7-F
描述 ON SEMICONDUCTOR MMBZ6V8ALT1G 单管二极管 齐纳, TVS, 24 W, SOT-23, 3 引脚24W 双齐纳瞬态电压抑制器，ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳，用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器，On SemiconductorDIODES INC. MMBZ6V8AL-7-F TVS二极管, AEC-Q113, AEC-Q101 MMBZ系列, 单向, 4.5 V, 9.6 V, SOT-23, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)
分类 齐纳二极管TVS二极管TVS二极管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 6.80 V - 4.50 V
工作电压 4.5 V 4.5 V -
额定功率 24.0 W - 24 W
击穿电压 6.46 V 6.8 V 6.46 V
针脚数 3 - -
耗散功率 300 mW 24 W 225 mW
钳位电压 9.6 V 9.6 V 9.6 V
测试电流 1 mA 1 mA 1 mA
最大反向击穿电压 7.14 V - 7.14 V
稳压值 6.8 V - -
脉冲峰值功率 24 W 24 W 24 W
最小反向击穿电压 6.46 V 6.46 V 6.46 V
击穿电压 6.46 V - 6.46 V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 225 mW
长度 3.04 mm 3.04 mm 1.3 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm 2.9 mm
高度 0.94 mm 0.94 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99