SI4923DY-T1-GE3和SI4953ADY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4923DY-T1-GE3 SI4953ADY-T1-GE3 SI4953ADY-T1-E3

描述 MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOICMOSFET 30V 3.9A 2W 53mohm @ 10VMOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - - 8

极性 - P-Channel Dual P-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - -4.90 A 4.90 A, -4.90 A

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 1.1 W

漏源极电阻 - - 0.09 Ω

耗散功率 - - 2.00 W

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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