BZX55C6V8-TAP和BZX55C6V8-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55C6V8-TAP BZX55C6V8-TR BZX55-C6V8

描述 500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorVISHAY BZX55C6V8-TR Zener Single Diode, 6.8V, 0.5W(1/2W), DO-35, 5%, 2Pins, 175℃Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.5W,

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Galaxy Semi-Conductor

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-35 -

容差 ±5 % ±5 % -

击穿电压 7.20 V 7.20 V -

正向电压 1.5V @200mA 1.5V @200mA -

耗散功率 500 mW 500 mW -

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 6.8 V 6.8 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

额定功率 0.5 W - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

长度 3.9 mm 3.9 mm -

宽度 1.7 mm 1.7 mm -

高度 1.7 mm 1.7 mm -

封装 DO-35 DO-35 -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 - EAR99 -

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