2N5796和JANTX2N5796

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5796 JANTX2N5796 2N2102

描述 双PNP硅晶体管 PNP DUAL SILICON TRANSISTOR双PNP硅晶体管 PNP DUAL SILICON TRANSISTORt-Npn Si- Gen Pur Amp

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管分立器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 6 - -

封装 TO-78 TO-78 -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 600 mW - -

封装 TO-78 TO-78 -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

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