CYD09S18V18-167BBXC和CYD09S18V18-167BBXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CYD09S18V18-167BBXC CYD09S18V18-167BBXI

描述 CYD09S18V18 系列 9 Mb (512 K x 18) 1.8 V 4 ns 双端口 静态RAM -FBGA-256Dual-Port SRAM, 512KX18, 4ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17MM, 1.7MM HEIGHT, 1MM PITCH, LEAD FREE, MO-192, FBGA-256

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 256 256

封装 FBGA-256 FBGA-256

电源电压(DC) 1.80 V 1.80 V

时钟频率 167MHz (max) 167MHz (max)

位数 - 18

存取时间 167 µs 4 ns

内存容量 9000000 B 9000000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃

电源电压 1.8 V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 1.9 V

电源电压(Min) - 1.7 V

封装 FBGA-256 FBGA-256

高度 1.25 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tray, Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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