IRG4PSC71KD和IRG4PSC71UDPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4PSC71KD IRG4PSC71UDPBF IXSX50N60BD1

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 85A 3Pin (3+Tab) TO-274AAINFINEON  IRG4PSC71UDPBF  单晶体管, IGBT, 85 A, 1.95 V, 350 W, 600 V, TO-274AA, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(3+Tab) PLUS 247

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-274 TO-274-3 TO-247-3

额定功率 350 W 350 W -

针脚数 - 3 -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 350 W -

上升时间 - 94.0 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 82 ns 82 ns 35 ns

额定功率(Max) 350 W 350 W 300 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 350000 mW -

长度 - 15.6 mm 16.13 mm

宽度 - 5 mm 5.21 mm

高度 - 20.3 mm 21.34 mm

封装 TO-274 TO-274-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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