对比图
型号 AUIRFS4010 IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRRPBF
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N沟道 100 V 375 W 143 nC Hexfet 功率 Mosfet 通孔 - D2PAKD2PAK N-CH 100V 180A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
引脚数 3 3 -
额定功率 - - 375 W
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 0.0039 Ω 4.7 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 375 W 375 W 375 W
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - - 100 V
连续漏极电流(Ids) 180A 180A 180A
上升时间 86 ns 86 ns 86 ns
输入电容(Ciss) 9575pF @50V(Vds) 9575pF @50V(Vds) 9575pF @50V(Vds)
下降时间 77 ns 77 ns 77 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 375W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc)
针脚数 - 3 -
输入电容 - 9575 pF -
额定功率(Max) - 375 W -
长度 10.67 mm 6.5 mm 6.5 mm
宽度 9.65 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 4.83 mm 2.3 mm 2.3 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free