JANSR2N3636L和JANTXV2N3637

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANSR2N3636L JANTXV2N3637 JANTX2N3637L

描述 TO-5 PNP 175V 1ASmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PINPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Crystalonics Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-5 TO-5 TO-5

击穿电压(集电极-发射极) 175 V - 175 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 100 @50mA, 10V

额定功率(Max) - - 1 W

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 1000 mW

极性 PNP - -

集电极最大允许电流 1A - -

封装 TO-5 TO-5 TO-5

材质 - - Silicon

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - - Tray

RoHS标准 - - Non-Compliant

含铅标准 - -

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